CSD23202W10 SEMICON Transport MOSFET P-CH 12V 2.2A 4-Pin DSBGA
EU RoHS |
Konform |
ECCN (US) |
EAR99 |
Teil-Status |
Aktiv |
Automobil |
Nein |
PPAP |
Nein |
Produkt-Kategorie |
Energie MOSFET |
Konfiguration |
Einzelner Doppelabfluß |
Verfahrenstechnik |
NexFET |
Kanal-Modus |
Verbesserung |
Kanaltyp |
P |
Zahl von Elementen pro Chip |
1 |
Maximale Abfluss-Quellspannung (V) |
12 |
Maximale Gate-Source-Spannung (V) |
6 |
Maximale Tor-Schwellen-Spannung (V) |
0,9 |
Maximaler ununterbrochener Abfluss gegenwärtiges (a) |
2,2 |
Maximaler Tor-Quelldurchsickern-Strom (Na) |
100 |
Maximales IDSS (MA) |
1 |
Maximaler Abfluss-Quellwiderstand (mOhm) |
53@4.5V |
Typische Tor-Gebühr @ Vgs (nC) |
2.9@4.5V |
Typische eingegebene Kapazitanz @ Vds (PF) |
394@6V |
Höchstleistungs-Ableitung (mW) |
1000 |
Typische Abfallzeit (ns) |
21 |
Typische Anstiegszeit (ns) |
4 |
Typische Abschaltverzögerungs-Zeit (ns) |
58 |
Typische Einschaltverzögerungs-Zeit (ns) |
9 |
Minimale Betriebstemperatur (°C) |
-55 |
Normalbetriebshöchsttemperatur (°C) |
150 |
Verpacken |
Band und Spule |
Lieferanten-Paket |
DSBGA |
Pin Count |
4 |
Standardpaket-Name |
BGA |
Montage |
Oberflächenberg |
Paket-Höhe |
0,28 (maximal) |
Paket-Länge |
1 |
Paket-Breite |
1 |
PWB änderte |
4 |
Führungs-Form |
Ball |