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Suppression Diode TVS IC Diode Transistor TPD1E10B09QDPYRQ1

Dioden-Transistor TPD1E10B09QDPYRQ1 Unterdrückungs-Diode Fernsehen IC

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Unterdrückungs-Diode IC-Dioden-Transistor
,
Dioden-Transistor Fernsehen IC
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TPD1E10B09QDPYRQ1
Modellnummer

TPD1E10B09QDPYRQ1
Art

TPD1E10B09QDPYRQ1
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Anwendung

PWB
Herkunftsort

China, Shenzhen
Markenname

TPD1E10B09QDPYRQ1
Zertifizierung

TPD1E10B09QDPYRQ1
Modellnummer

TPD1E10B09QDPYRQ1
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Dioden-Transistor TPD1E10B09QDPYRQ1 Unterdrückungs-Diode Fernsehen IC

Name: Dioden-Transistor TPD1E10B09QDPYRQ1 Unterdrückungs-Diode Fernsehen IC
Brand: TPD1E10B09QDPYRQ1
SKU: TPD1E10B09QDPYRQ1
Price: 1.00 USD
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Der Unterdrückungs-TPD1E10B09QDPYRQ1 elektronische Bauelemente Diode Fernsehen IC

EU RoHS

Konform

ECCN (US)

EAR99

Teil-Status

aktiv

Automobil

PPAP

Art

Fernsehen

Konfiguration

Einzeln

Richtungs-Art

Bidirektional

Zahl von Elementen pro Chip

Höchste Betriebsspannung (V)

5,5

Minimale Durchbruchsspannung (V)

9,5

Maximale festklemmende Spannung (V)

20 (Art)

Maximaler Höchstimpuls gegenwärtiges (a)

5,5

Maximaler Durchsickern-Strom (MA)

0,1

Prüfstrom (MA)

Höchstimpulsleistungs-Ableitung (W)

Kapazitanz-Wert (PF)

10 (Art)

Minimale Betriebstemperatur (°C)

-40

Normalbetriebshöchsttemperatur (°C)

125

Lieferanten-Temperatur-Grad

Automobil

Verpacken

Band und Spule

Lieferanten-Paket

X1SON

Pin Count

Montage

Oberflächenberg

Paket-Höhe

0,4 (maximal)

Paket-Länge

1,1 (maximal)

Paket-Breite

0,7 (maximal)

PWB änderte

Dioden-Transistor TPD1E10B09QDPYRQ1 Unterdrückungs-Diode Fernsehen IC 0

Dioden-Transistor TPD1E10B09QDPYRQ1 Unterdrückungs-Diode Fernsehen IC 1

Umbauten:

Esd-entstör-Diode

Fernsehdiode IC-Dioden-Transistor

Dioden-Transistor ESD IC

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